公司《无线无源声表面波温度传感器芯片制造工艺与产业化研究》顺利通过中期评审

2014年10月7日，中国科学院银川科技创新与产业育成中心对其首批支持的10个院地合作项目进行了中期评审，我公司与中科院声学所合作申报的《无线无源声表面波温度传感器芯片制造工艺与产业化研究》项目，顺利通过专家评审。评审专家认为该项目在执行中院地合作效果显著，项目阶段性任务目标完成良好，下一年度工作目标明确；项目市场前景良好，产业化应用容易，适合入驻银川中心。